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《第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集》2008年
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Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究

谢自力  张荣  崔旭高  陶志阔  修向前  刘斌  李弋  傅德颐  张曾  宋黎红  崔影超  韩平  施毅  郑有炓  
【摘要】:利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的掺杂浓度达到3.9%时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。

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