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《第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集》2008年
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宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器

归强  裴为华  陈弘达  
【摘要】:报道了一种在0.6~1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性的探测器。封装后光电探测器在0.6~1.0μm波段的响应度大于0.2 A/W,其中,在1.0μm~1.65μm波段的响应度超过0.8 A/W,5 V偏压下的暗电流小于2 nA。经过老化试验,探测器的寿命可以超过10~5h,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。
【作者单位】:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【分类号】:TN364.2

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