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《第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集》 2008年
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异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点

王鹏飞  熊永华  吴兵朋  倪海桥  黄社松  牛智川  
【摘要】:GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In_(0.05)Ga_(0.95)As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引入Sb辅助生长的方法,通过改变生长温度、淀积量以及In组分等生长参数,最终得到了室温光致发光波长为1 533 nm的InAs量子点结构,谱线半高宽为28.6 meV,经原子力显微镜测试表明,其密度为(4~8)×10~9cm~(-2)。预计进一步提高量子点密度后,此技术可应用于长波长量子点激光器材料的分子束外延生长。

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