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《2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集》2004年
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横向多晶硅p~+p~-n~+结非致冷红外焦平面

陈二柱  唐成伟  江美玲  梁平治  
【摘要】:应用标准CMOS工艺,同时结合体硅微机械加工技术,研制成功横向多晶硅p+p-n+微测辐射热计单元;基于研制成功的微测辐射热计,设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p+p-n+结热敏响应元和读出电路;在CMOS工艺完成后,辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺,制备微桥形式的热绝缘结构,从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成。在3~5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D*为1.2×108cm·Hz1/2·W-1。焦平面采用行读出模式的结构,信号读出采用栅调制积分电路,输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路,将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出。

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