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《第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集》2013年
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等离子体薄膜沉积工艺在微波器件抑制二次电子发射系数中的应用

武洪臣  王加美  赵青  
【摘要】:在高功率微波器件中,多级降压收集极(multistage depressed collectors,MDC)表面的二次电子发射特性对收集极的效率有很大的影响。要想获得高的收集极效率,收集极表面必须有低的二次电子发射系数。无氧铜是最常用的收集极材料,但其二次电子发射系数较高,因此必须对其表面进行改性以抑制二次电发射,其高期间性能。采用等离子体增强沉积工艺制备了氮化物薄膜,并与化学镀工艺制备高功函数薄膜进行了比较,初步结果显示,特定工艺下制备的TiN薄膜对二次电子的抑制效果,达到甚至超过W、Au等高功函数材料。
【作者单位】:北京航空制造工程研究所 电子科技大学物理电子学院
【分类号】:O484.1;TN12

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