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《第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集》2011年
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H_2-N_2甚高频放电原子态粒子的流密度

郝莹莹  张连珠  
【摘要】:H_2-N_2甚高频容性耦合放电等离子体广泛应用于有机低介电系数的刻蚀,无晶氢化硅薄膜沉积和一些微电子设备的表面处理等领域。本文采用PIC/MCC混合自治模型,在频率为60MHz,气压为133.3Pa,射频电压为120V条件下,模拟了H2-N2甚高频容性耦合放电等离子体特性,计算了掺入少量(0-20%)不同比例的氮气对原子态粒子的密度分布、流密度分布以及平均能量分布的影响。研究结果表明:随掺N2比例的增加,H~+离子流密度在等离子体区以及接地电极处没有明显变化,而在射频电极处减小,H~+离子的平均能量分布增加;H~+离子密度在射频电极以及接地电极附近出现两个峰值,在等离子体区密度几乎为零:随掺氮比例的增加,N+平均能量分布降低。掺N_210%时,电子的流密度在等离子体区最大,氢离子的流密度在射频电极处达最大值。NH~+在整个放电空间的流密度分布与氢离子的流密度分布类似。研究结果增进了对H_2-N_2甚高频放电过程机理的理解。
【作者单位】:河北师范大学物理科学与信息工程学院
【分类号】:O53

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