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汪长安王明福尉磊张幸红  
【摘要】:正采用热压烧结法制备了SiC晶片增韧的ZrB_2复合材料(SiCpl/ZrB_2),SiC晶片的含量分别为5,10,15,20vol%。研究了该材料在1200℃条件下的氧化行为,氧化时间是1h,氧化升温速率为℃/min。随着SiCpl含量的增加,材料质量变化成增加趋势,但是增幅趋缓。


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