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存储器用铁电薄膜:制备,力学性能和失效

周益春  
【摘要】:正铁电薄膜存储器具有非挥发性,高读写速度,低功耗,低工作电压,超高理论存储密度,高抗疲劳特性以及优异的抗辐照性能,并且与IC工艺基本兼容,被学术界和产业界公认为最有潜力的下一代存储器之一,日益成为科技界,产业界和军事界等部门的研究热点。铁电存储器的关键在于铁电薄膜,因此本研究主要是围绕

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