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《第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集》2009年
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三频容性耦合等离子体反应器的数值模拟

徐翔  王友年  
【摘要】:正容性耦合等离子体(CCP)反应器是半导体工业中重要的设备之一,在薄膜沉积、硅片刻蚀等工艺中有重要的应用。随着半导体工业的发展,人们迫切需要能够高效的进行大面积硅片沉积和刻蚀的新一代设备。一个发展方向就是增加驱动电源的频率。电源采用高于射频频率13.56MHz的频率,不仅可以使得放电产生的等离子体密度更高,从
【作者单位】:大连理工大学物理与光电工程学院
【分类号】:O531

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