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《第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集》2009年
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射频磁控溅射沉积Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其结构和磁性研究

吴兆丰  吴雪梅  诸葛兰剑  
【摘要】:正稀磁半导体由于在自旋电子器件领域具有广泛的应用前景,近年来引起了人们极大的研究兴趣。在众多的稀磁半导体候选材料中,过渡金属掺杂ZnO极有可能成为居里温度高于室温的稀磁半导体材料,因而引起了极大的关注。但这种方法的缺点是很难弄清楚材料中的磁性到底是源于杂质磁性离子以替位式掺杂的形式在材料中形成的
【作者单位】:苏州大学 薄膜材料重点实验室
【分类号】:O484.1

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